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感应耦合等离子体刻蚀机-武汉赛斯特

更新时间:2020-11-13

简要描述:

设备利用射频天线,通过感应耦合方式在放电腔中产生高密度等离子体,刻蚀工作台同时引入射频偏压,在射频偏压作用下,等离子体垂直向下对未被掩蔽的被刻蚀材料表面进行物理轰击,并与材料表面发生化学反应,达到对样品进行化学物理相结合刻蚀的目的。
感应耦合等离子体刻蚀机-武汉赛斯特

型号:点击量:22
品牌其他品牌应用领域医疗卫生,化工,电子

 

感应耦合等离子体刻蚀机技术

 

1. 设备主要原理与功能

设备利用射频天线,通过感应耦合方式在放电腔中产生高密度等离子体,刻蚀工作台同时引入射频偏压,在射频偏压作用下,等离子体垂直向下未被掩蔽的被刻蚀材料表面进行物理轰击,并与材料表面发生化学反应,达到对样品进行化学物理相结合刻蚀的目的

 

2. 设备组成结构

设备主要由高真空刻蚀室、真空获得系统、真空测量系统、恒压系统、电源系统、感应耦合电极与匀气系统、射频偏压电极、水冷升降工件台、气路系统、电气与全自动控制系统、安全保护及自动报警系统等部分组成

 

3. 设备主要用途与特点

设备适用于大学、研究院所企业研发机构通用的感应耦合等离子体刻蚀的科研与教学

设备刻蚀材料广泛,包括并不限于单晶硅、非晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、TaN、Ta、Ti、W、Mo、聚合物

采用新型柱状耦合电极结构,气体离化率与等离子体密度更高。

可自动在线调节刻蚀距离,适合不同工艺特性。

带有自动压力控制系统,刻蚀工艺更稳定。

设备采用全自动化控制。

 

 

4. 设备主要技术指标

4.1 腔体尺寸:Φ300mm*H300mm,经氧化处理的铝质桶形卧式结构,上盖自动开闭。

4.2 极限真空度:≤5×10-4Pa;

4.3 系统漏率:5×10-7Pa.l/s

4.4 静态升压:系统停泵关机后12小时后,真空度≤5Pa

4.5 系统进清洗充干燥N2解除真空,短时暴露大气后抽气抽至5×10-3Pa时间小于20min,至9×10-4Pa40min

4.6 射频阴极尺寸:Φ200mm

4.7 刻蚀均匀性:≤±5%(Φ6英寸

4.8 主要工艺气体配置:SF6、CHF3CF4O2、Ar、N2(视具体刻蚀工艺

4.9 电源配置

耦合电极(上电极):13.56MHz,1000W,自动匹配

偏压电极(下电极):13.56MHz,600W,自动匹配

4.10 自动压力控制系统:包含

4.11 刻蚀距离自动调节范围:20mm-80mm,调节精度:1mm

4.12 水冷工作台温度:<15

4.13 腔壁冷却:包含

4.14 控制方式:基于PLC及工控机的全自动半自动控制方式

4.15 包含安全报警系统

 

5. 设备主要配置

5.1 真空刻蚀腔体、样品架系统、一体机架、辅助设施,1套(定制

5.2 分子泵1台,抽速600L/s(北京中科科仪KYKY)

5.3 直连旋片式真空泵1台,抽速8L/s(日本真空独资宁波爱发科)

5.4 超高真空电动调节插板阀1台,Φ150mm(北京中科科仪KYKY)

5.5 真空测量系统1套成都睿宝/成都正华

5.6 自动压力控制系统1套(创世威纳,含进口薄膜真空计(德国INFICON

5.7 射频电源及自动匹配器: 1000W,1套(美国ceres;600W,1套(美国ceres

5.8 质量流量控制器:6台(北京七星华创

5.9 工艺气路:6条(定制配套

5.10 射频耦合电极及射频引入器1套(定制

5.11 可调距离射频阴极及射频引入器1套(定制

5.12 自动控制系统1套。PLC及模块(德国西门子、工控机(研华工控、显示器(飞利浦

5.13 空气压缩机1台(上海岱洛)

5.14 冷却循环随机1台(同洲维普)

 

 

6. 设备外形尺寸、重量

L1200mm*W900mm*H1600mm,500Kg

 

7. 设备使用条件

7.1配电箱:

AC380V  60A  5KW三相线制。

留有380V  40A空开一个

AC220V  10A三头万能插座一个

AC220V  16A三头万能插座一个

7.2排气接口:∮40mm接口两个。

7.3接地要求:接地电阻≤4Ω。

7.4工艺气体进气口规格1/4″不锈钢管,双卡套连接

7.5工艺气体与配套减压阀(视工艺而定。例如:O2、Ar、N2等。

 

 感应耦合等离子体刻蚀机-武汉赛斯特

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